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物联网市场FD-SOI制程会取代FinFET吗?

发布日期:2023-12-19 00:56浏览次数:
本文摘要:仅有消耗型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术于是以从原本的耽误(too-late)方位摇身一变,沦为有望在物联网(IoT)与汽车市场代替鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表参加一场涉及领域的业界活动,象征物着为这项技术背书。 我指出,FD-SOI于是以蓄势待发。或许还得经过几年的时间,但它必将取得新的动能,并发展沦为一项关键技术,InternationalBusinessStrategies(IBS)创办人兼任执行长HandelJones认为。

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仅有消耗型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术于是以从原本的耽误(too-late)方位摇身一变,沦为有望在物联网(IoT)与汽车市场代替鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表参加一场涉及领域的业界活动,象征物着为这项技术背书。  我指出,FD-SOI于是以蓄势待发。或许还得经过几年的时间,但它必将取得新的动能,并发展沦为一项关键技术,InternationalBusinessStrategies(IBS)创办人兼任执行长HandelJones认为。

  相比于FinFET,FD-SOI不具备更加多优点。虽然FinFET的性能极高,但较少了成本效率。

FD-SOI基板虽然较便宜,但制程却较低功耗、bulk性能更佳,也更加限于于RF而这正是IoT的关键。从设计的观点来看,FD-SOI较非常简单,让工程师在矽后(post-silicon)仍能调整产品。    VLSIResearch调查自由选择FD-SOI的主要原因  如果全球仅次于的公司英特尔(Intel)在转入确实的14nm时遇到困难,你就不会告诉这项技术并不非常简单。VLSIResearch执行长DanHutcheson补足说道,要求使用FD-SOI制程不存在一些商业因素。

最重要的原因在于其设计较非常简单,上市时程也显得更加慢了尤其是对于一家规模较小的的组织而言。我告诉有许多人反而不讨厌它看起来低廉版的FinFET,但它显然如此。

    VLSIResearch针对半导体业者的FD-SOI发展蓝图进行调查  在日前于美国加州举办的FD-SOI研讨会上,业界大厂也反对Hutchenson的观点。恩智浦(NXP)概述使用28nmFD-SOI顺利打造出i.MX7和其它8款处理器;Sony宣告于是以销售0.65VoltGPS晶片;新的思(Synopsys)、益华(Cadence)、Ciena和意法半导体(STMicroelectronics)也相继公开发表涉及产品或研究成果;三星(Samsung)宣告今年有10款28nm制程的产品投片,而GlobalFoundries则将投放其于德勒斯安(Dresden)晶圆厂的大部份生产能力于22nmFD-SOI制程。  Soitec技术长CarlosMazure说道,对于FD-SOI产业来说,三星和GlobalFoundries公开发表的有力声明可说是个好兆头,它主要在告诉他这个领域,现在有两种代工制程、有竞争、也有市场驱动力,他们于是以竞相谋求无晶圆厂反对而这对整个生态系统来说是良性的。

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