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镁光:3D闪存芯片能让手机拥有更多内存容量:皇冠比分官网

发布日期:2024-02-11 00:56浏览次数:
本文摘要:电子工程网近日在加州圣克拉拉举办的存储器峰会(FlashMemorySummit)上,镁光发布了他们的首款3DNAND存储器芯片。这种存储器芯片在不转变尺寸的情况下能获取更好的储存空间。 据PCWorld报导,镁光这款3D存储器芯片的容量为32GB,其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS2.1标准,市面上的智能手机皆并未用于这种理论上更慢的储存协议。 镁光指出智能手机对内存容量的市场需求更加低,虚拟现实应用于和流媒体都将闲置大量的储存空间。

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电子工程网近日在加州圣克拉拉举办的存储器峰会(FlashMemorySummit)上,镁光发布了他们的首款3DNAND存储器芯片。这种存储器芯片在不转变尺寸的情况下能获取更好的储存空间。  据PCWorld报导,镁光这款3D存储器芯片的容量为32GB,其目标市场为中高端的智能手机。该产品基于新的UFS2.1标准,市面上的智能手机皆并未用于这种理论上更慢的储存协议。

  镁光指出智能手机对内存容量的市场需求更加低,虚拟现实应用于和流媒体都将闲置大量的储存空间。他们回应,在几年之内智能手机的内存容量可能会超过如今PC的水平,具体来说,大约在2020年就不会看清1TB。不过,这家公司未透漏自家用作移动设备3D存储器芯片的发展路线图。  与传统的2DNAND水平化学键储存单元有所不同,3DNAND用于横向的方式化学键储存单元,这种方式既能享有更高的容量,又能让芯片间的通讯变快。

  3DNAND存储器芯片技术并非镁光独特,英特尔和三星都早已在SSD上应用于了这种技术,涉及产品的容量只不会更加大。


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